三星开发出厚度仅为0.6mm的8层层压式NAND闪存
译自：11月10日 【日本】日经BP社 (www. nikkeibp.co.jp)
编译：电子贸促会 王喜文
韩国三星电子公司发表声明称，已开发出将8层芯片层压，整体厚度控制在0.6mm的32G容量的NAND闪存。其中，每个芯片的厚度仅为15μm。该公司表示将在手机等移动终端上应用这项薄型化技术，进一步强化NAND闪存市场的竞争力。
目前市场上的NAND闪存主要是由厚度为60μm的芯片层压而成，整体高1mm。此前一直认为，在确保芯片强度的情况下，很难实现小于30μm的厚度，芯片的层压间隔也很难再缩小。
图：内置8层层压芯片 厚度仅为0.6mm的NAND闪存
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