韩国政府与三星、海力士合作开发下一代存储芯片
译自：11月26日【韩国】联合通讯社（english.yonhapnews.co.kr）
编译：电子贸促会 李玮
韩国政府官员于11月26日表示，政府已与世界领先半导体制造商合作开发一个新项目——下一代存储芯片，以确保韩国在该行业的领先地位。
知识经济部称，该项目要求政府与三星及海力士半导体公司共同合作研发世界上第一个自旋磁随机存取存储器（STT-MRAM）设备。
作为在世界内存芯片市场占领先地位的公司，三星和海力士正在与日本公司竞争，力争成为自旋磁随机存取存储器（STT-MRAM）的制造商。
半导体和显示器司司长称：“一旦自旋磁随机存取存储器研制成功，韩国到2015年就可以在30纳米型内存芯片市场占有45%的市场份额。”
在目标年度，处理时间更快的先进存储装置市场将在全世界范围内预计收入高达530亿美元。
帕克称，研发成果同样可以给韩国在基础技术方面提高洞察能力的机会，以在世界半导体工业市场中具有更强的竞争力。
政府计划截止2014年承担研发总体费用的一半，剩余部分由三星及海力士来筹集。
研究人员在汉阳大学顶尖水准的聚变技术实验室内进行研发。
研发中心已经配备了完全可以使用的300毫米磁薄膜沉积系统，以及其他芯片制造设备。其设备比日本公司所用的200毫米沉积系统更具有优越性。
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