韩国政府携手三星与海力士研发MRAM芯片
（新闻来源：DigiTimes）
根据韩联社(Yonhap)报导，韩国政府宣布，已与半导体厂三星电子(Samsung Electronics)以及海力士(Hynix)共同合作，进行磁性随机存储器(Spin Transfer Torque-Magnetic Random Access Memory；MRAM)的研发专案，以维持韩国在半导体产业的领先地位。
韩国知识经济部半导体与面板部门首长 Park Tae-sung表示，一旦STT-MRAM研发完成，韩国于2015年将可掌握大约45%的30奈米制程存储器芯片市场，并预估该市场于2015年将有 530亿美元的产值。Park也指出，此项共同研发专案将让韩国拥有基础技术，支持韩国在半导体产业续保世界级的竞争力。
政府计划负担该合作专案一半的成本，为240亿韩元(约2,080万美元)，另外一半将由三星与海力士共同出资。韩国政府表示，研发中心目前已安装12寸 (300mm)磁性薄膜沈积系统(Magnetic Thin Film Deposition System)以及其它芯片制造设备，优于日本竞争对手研发STT-MRAM时所使用的8寸(200mm)沈积系统，预期将让韩国在研发脚步上领先。
- 相关文章
- 2014/01/02机器人、3D打印、可穿戴，IT企业主们2014年的三大挑战
- 2014/01/02巨擎云集NEPCON China 2014 电子展
- 2013/07/18智慧城市概念进入高速发展阶段
- 2013/07/18TD-LTE芯片战升温 国外厂商占优势
- 2013/07/184G东风吹起 国产手机能否借势逆袭
- 最新文章
- 2024/04/10工业和信息化部国际经济技术合作中心（中国国际贸易促进委员会电子信息行业分会）2024年度部门预算
- 2023/11/072023工业绿色发展成果展圆满落幕
- 2023/11/07中国企业强势回归2023中东电力展
- 2023/11/07中英职业技能与教育交流研讨会在常州武进成功举办
- 2023/05/12中国企业亮相俄罗斯国际电子元器件展