台美日DRAM厂连手 抗韩策略发酵
（新闻来源：DigiTimes）
两大韩系内存厂三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)纷传出将大幅调高2010年资本支出，继三星预计投入30亿美元扩产及制程微缩后，海力士2010年资本支出亦将倍增至20亿美元，使得尔必达(Elpida)和美光(Micron)加紧脚步与台系DRAM厂合作，尽管过去喊出的台美日厂连手抗韩策略，在DRAM整合戏码停摆后没再被提起，但DRAM厂指出，实际上全球4大DRAM阵营板块运动，仍按照台美日厂连手抗韩局势发展。
随着三星和海力士都扩增2010年资本支出，隐约释出对2010年DRAM和NAND Flash产业乐观看法，以2010年三星30亿美元资本支出为例，虽然还未回到2007、2008年逾40亿美元资本支出水平，但已较2009年大幅成长；目前三星单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过30万片。
海力士2010年资本支出约20亿美元，与2009年相比成长超过1倍，其中，13亿美元花在DRAM芯片，7亿美元花在NAND Flash芯片。海力士2009年与台厂茂德缘分告终，但并未影响DRAM扩产进度，目前海力士单月12吋晶圆DRAM芯片产出超过20万片，2010年将致力往40纳米制程发展。
2008年底DRAM产业整合定调为台美日厂联盟，连手对抗韩厂，在这样氛围下使得海力士退出台DRAM产业，茂德转向与日系阵营合作，台DRAM产业整合虽破局，但台美、台日阵营联盟抗韩效应，却仍发酵中。
内存业者认为，面对韩系大军调高资本支出，尔必达2009年资本支出为5亿美元，2010年暂订6亿美元，表面上增加支出金额相当小，但实际上大部分支出都转嫁至台厂，包括力晶、瑞晶、茂德、华邦电等，尤其是子公司瑞晶2010年资本支出高达4亿美元，会是台日联盟主要基地。
在台美阵营方面，美光虽然没有获得台湾当局金援，但自身募资成功，加上合作伙伴南亚科和子公司华亚科2009年连番募资成功，2010年大量转进50奈米制程，亦将成功稳固台美阵营实力。
整体来看，原本全球DRAM产业有5大阵营，2009年奇梦达(Qimonda)遭洗牌出局后，海力士亦被洗出台湾市场，未来全球4大阵营也1分为2，由台美日厂对抗韩厂，其中，日厂尔必达和美系美光在全球DRAM产业三哥宝座竞争激烈，台厂产能将牵动未来全球DRAM市占版图。
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