亚洲是否面临产能过剩的困境？(五)——瑞士联合银行关于亚洲产能利用现状的报告

字号：大中小　|　[关闭本页]: 时间：2013年5月14日　|　点击(1793)

　　译自：2013年1月【瑞士】瑞士联合银行(UBS)
　　编译：工业和信息化部国际经济技术合作中心王叶子

　　(四)产能利用和资产周转前景

　　瑞银预测，由于亚洲晶圆的出货量和新增产能的增长速度相近，因此，在今年到明年间，产能利用水平不会发生明显改变，预计产能利用率将维持在2003年后的平均水平(89%)。产能利用率跌到2009年最低点(75%)的条件是，出货量较2012年下降7%——这个幅度比2009年真正发生的还要剧烈一些。另外，如果想使产能利用率提高到历史峰值(101%)，出货量需要上升近25%。

　　瑞银同时预计，亚洲晶圆企业的资产周转率将会上升。未来两年间，销售额增长速度将快于固定资产增长速度，资产周转率因此将从2012年的0.94提高到2014年的1.01。分析这些数据后，瑞银认为，这主要是受中芯国际(SMIC)的带动。而占据另外半边天的两家公司——台积电(TSMC)和联华电子(UMC)的资产周转水平预计不会发生任何改善。

　　图5-4 亚洲晶圆企业的销售额与固定资产比例

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　瑞银还认为，下一年，晶圆企业的定价权不会增强。尽管产能扩张可能收紧，且库存也相当低，但由于缺乏强有力需求，价格仍将维持在一个稳定的水平上。

　　图5-5 亚洲三大晶圆企业(SMIC、TSMC和UMC)的销售额和固定资产增长

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　表5-1 亚洲三大晶圆企业的销售额增长率

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　表5-2 亚洲三大晶圆企业的固定资产增长率

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　表5-3 亚洲三大晶圆企业的资产周转率

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　B.半导体存储器(DRAM内存/NAND闪存)

　　(一)产能利用情况

　　NAND闪存产业的产能利用率维持在峰值，DRAM内存产业的产能利用率则跌倒了2006年后的最低水平。

　　图5-6 亚洲半导体存储器的产能利用率(年平均值)

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　(二)产能增长情况

　　瑞银预计，DRAM内存和NAND闪存在2013年都会有些供给不足，产能会有一定程度的扩张，以三星和东芝/闪迪(SanDisk)为主，但投入的时间可能会推迟。明年NAND闪存产能的增速为6%，略高于2009年的最低水平(4.7%)。DRAM内存的产能在2011年、2012年减少后，2013年预计将继续减少1%。

　　图5-7 亚洲半导体存储器产业的产能增长

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　在比特容量方面，瑞士联合银行预计NAND闪存的比特容量在2012年经历了60%的增长后，今年会增长53.4%；DRAM内存的比特容量会增长23.5%(2012年增速为21.6%)。

　　(三)需求增长情况

　　瑞银称，DRAM和NAND(初制晶圆)的市场需求预计在2013年均会下滑，虽然下滑的幅度不及2011年和2012年。在容量需求方面，DRAM需求的增长会适度加快，在2012年增长23.6%之后，2013年增长25.1%。但个人电脑的市场需求不会增长。此外，2013年手机和平板电脑的需求将占全部容量需求的25%，占销售收入的比例超过40%。

　　在NAND闪存领域，瑞银预计市场需求在经历了2012年65%的增长后，在2013年继续以56.8%的较快幅度增长。其中，智能手机和平板电脑将发挥积极的推动作用，而应用于笔记本电脑的固态硬盘的需求则会放缓。

　　图5-8 亚洲半导体存储器(初制晶圆)市场需求的增长

　　来源：瑞士联合银行(UBS)

　　(四)产能利用和资产周转前景

　　鉴于DRAM和NAND的容量需求在2013年会适当提速，且产能方面供应不足，因此DRAM和NAND的产能利用率预计会上升。一些存储器企业(SK海力士、美格纳、华亚、力晶)的资产周转率预计将从2012年的0.76x上升到2013年和2014年的0.92x、1.03x。在价格方面，库存的正常化在短期内有助于定价权力的加强，并进一步促进资产周转率的提高。