三星/海力士NAND闪存芯片迈向20nm级工艺
（新闻来源:cnbeta）
继Intel、美光上个月宣布投产25nm NAND闪存芯片后，韩国两大存储厂三星和海力士近日也宣布了自家的30nm以下工艺NAND闪存投产计划。
海力士将采用26nm工艺生产容量为64Gb的NAND闪存芯片，这和Intel、美光首批投产的25nm芯片容量一致。而三星则计划在今年第二季度投产27nm NAND闪存。
海力士表示，和30nm工艺相比，新工艺的闪存芯片的产能将翻一番，成本也将大幅度降低。根据韩国当地媒体的报道，海力士将在今年第三季度开始量产 26nm闪存芯片。在这一点上三星已经占据了先机，三星称他们在去年就完成了对27nm NAND闪存芯片的研发，并计划在今年二季度进行量产。
不过三星和海力士并没有透露，新工艺芯片是否采用了MLC存储技术。
根据市场调研公司IC Insights的统计，全球NAND闪存市场今年的收入将达到188亿美元，占据半导体市场总收入的7%，高于去年的154亿美元。
（编译/驱动之家）
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