韩国三星电子将批量生产20纳米制程的闪存
译自：4月19日【韩国】ZDnet（www.zdnet.co.kr）
编译：电子贸促会 陈倩倩
韩国三星电子4月19号宣布，从本月开始将批量生产世界最新20纳米制程32GB MLC（Multi- Level Cell）闪存。同时，该公司还研制出该闪存专用的控制器，并对其性能进行了优化。
20纳米制程的MLC闪存，不仅在性能上比30纳米的闪存提高了50%，还具备与30纳米闪存相同的可靠性。
三星电子的20纳米MLC闪存将以“SD卡”的形式问世。三星电子将逐步增加20纳米制程MLC闪存产品的生产比重，预计将生产从4GB到64GB的系列产品。三星电子计划将在moviNAND产品中使用20纳米制程的MLC闪存，以此逐步替代30纳米制程闪存的市场。
8GB以上搭载三星20纳米制程闪存专用控制器的“SD卡”，不仅实现了记忆卡中最高10MB/s以上的读写速度，并且规格与 “class 10”相同。
三星电子半导体事业部记忆卡负责人Jo部长说道：“20纳米制程MLC闪存的量产，满足了客户对高性能、大容量记忆卡的需求。”
Jo部长还说道：“今年，20纳米制程的闪存不仅能够抢占大容量、高性能的智能手机内置存储器的市场，还能提高闪存记忆卡的竞争力。”
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